中信建投证券研报显示，美光继闪迪、长江存储后，也发布涨价函。函件显示，由于需求出现超预期增长，美光决定提高产品价格以应对市场变化。TrendForce预计25Q2传统DRAM（不含HBM）的价格跌幅将收敛季减0%至5%。渠道市场的存储现货价格也受到备货热度升温而持续走高，价格上涨的品类正越来越多，包括存储颗粒与模组。CFM表示，原厂仍保持强势控货拉涨态度，Good die价格普遍上扬，使得部分现货产品价格出现较大涨幅，存储现货市场供需关系趋紧加剧。存储大厂自2024年末启动的产能调控措施已初见成效，主流存储品类价格见底回温的趋势已经形成。后续涨价态势能否持续，仍需要关注终端的需求复苏力度及库存去化进度。历史上每一轮大周期，上行、下行周期大致为2年，但23年至今的存储周期开始呈现周期缩短、波动加剧的特征，未来需重点关注头部厂商产能策略动态，以及终端厂商备货节奏等边际变化。
全文如下美光发布涨价函，存储价格有望逐步回升
半导体：存储大厂美光发布涨价函，主流存储品类价格见底回温的趋势已经形成。
美光继闪迪、长江存储后，也发布涨价函。函件显示，由于需求出现超预期增长，美光决定提高产品价格以应对市场变化。CFM预计，美光本次涨价幅度在10%-15%。
美光、闪迪、长江存储等厂商陆续调价，释放存储行业周期回暖的信号。TrendForce最新预测已将NAND Flash价格止跌回稳的时间节点由25Q3提前至25Q2。供给端，自2024Q4起，NAND Flash原厂陆续减产，减产效应正逐步显现。需求端，消费电子品牌商顺应国际形势变化而提前生产，带动需求，加之PC、智能手机和数据中心等应用领域已开始重建库存。DRAM方面， 2025Q1下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，有助供应链中DRAM的库存去化，TrendForce预计25Q2传统DRAM（不含HBM）的价格跌幅将收敛季减0%至5%。
渠道市场的存储现货价格也受到备货热度升温而持续走高，价格上涨的品类正越来越多，包括存储颗粒与模组。CFM表示，原厂仍保持强势控货拉涨态度，Good die价格普遍上扬，使得部分现货产品价格出现较大涨幅，存储现货市场供需关系趋紧加剧。
存储大厂自2024年末启动的产能调控措施已初见成效，主流存储品类价格见底回温的趋势已经形成。后续涨价态势能否持续，仍需要关注终端的需求复苏力度及库存去化进度。历史上每一轮大周期，上行、下行周期大致为2年，但23年至今的存储周期开始呈现周期缩短、波动加剧的特征，未来需重点关注头部厂商产能策略动态，以及终端厂商备货节奏等边际变化。
风险提示：未来中美贸易摩擦可能进一步加剧，存在美国政府将继续加征关税、设置进口限制条件或其他贸易壁垒风险；宏观环境的不利因素将可能使得全球经济增速放缓，居民收入、购买力及消费意愿将受到影响，存在下游需求不及预期风险；大宗商品价格仍未企稳，不排除继续上涨的可能，存在原材料成本提高的风险；全球政治局势复杂，主要经济体争端激化，国际贸易环境不确定性增大，可能使得全球经济增速放缓，从而影响市场需求结构，存在国际政治经济形势风险。
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